| номер части | SIB412DK-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 10.16nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 535pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-75-6L Single |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SC-75-6L |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SIB410DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A 8SO | подробности |
|
SIB411DK-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 | подробности |
|
SIB411DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L | подробности |
|
SIB412DK-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 | подробности |
|
SIB412DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 | подробности |
|
SIB413DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 | подробности |
|
SIB414DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6 | подробности |
 |
SIB415DK-T1-E3 | VISHAY | SIB415DK-T1-E3 VISHAY QFN New Original Stocks | подробности |
|
SIB415DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6 | подробности |
|
SIB417AEDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK | подробности |
