SIA911EDJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIA911EDJ-T1-GE3
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Функция FET	Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4.5A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	101 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	11nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Мощность - макс.	7.8W
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SIA911ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	подробности
SIA911DJ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	подробности
SIA911DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	подробности
SIA911EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	подробности