SI8465DB-T2-E1 Подробное описание
номер части |
SI8465DB-T2-E1 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
P-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
- |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
18nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
450pF @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±12V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
104 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
4-Microfoot |
Упаковка / чехол |
4-XFBGA, CSPBGA |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI8465DB-T2-E1