SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

номер части
SI8410DB-T2-E1
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI8410DB-T2-E1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
7500 pcs
Справочная цена
USD 0.4737/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1 Подробное описание

номер части SI8410DB-T2-E1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C -
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 620pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 4-Micro Foot (1x1)
Упаковка / чехол 4-UFBGA
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI8410DB-T2-E1