SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SI7882DP-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI7882DP-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3715 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3 Подробное описание

номер части SI7882DP-T1-GE3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол PowerPAK® SO-8
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI7882DP-T1-GE3