SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SI7802DN-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI7802DN-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3867 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3 Подробное описание

номер части SI7802DN-T1-GE3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 250V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.24A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 21nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 435 mOhm @ 1.95A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
Упаковка / чехол PowerPAK® 1212-8
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI7802DN-T1-GE3