SI7172DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SI7172DP-T1-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	77nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2250pF @ 100V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 5.9A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® SO-8
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI7170DP	VISHAY	SI7170DP VISHAY QFN New Original Stocks	подробности
SI7170DP-T1-E3	VISHAY	SI7170DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks	подробности
SI7170DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8	подробности
SI7172ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8	подробности
Si7172DP-T1-E3	VISHAY	Si7172DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks	подробности
SI7172DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8	подробности
SI7174DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8	подробности
SI7178DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	подробности