| номер части | SI7137DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 585nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 20000pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.95 mOhm @ 25A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SO-8 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7135CJ | SILICONIX | SI7135CJ SILICONIX DIP28 New Original Stocks | подробности |
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 | подробности |
|
SI7136DP-RC | VISHAY | R-C Thermal Model Parameters | подробности |
|
SI7136DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | подробности |
|
SI7136DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | подробности |
|
Si7137DP-T1-E3 | VISHAY | Si7137DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | подробности |
|
SI7137DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | подробности |
|
SI7138DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 | подробности |
|
SI7138DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 | подробности |
|
Si7139DP-T1-E3 | VISHAY | Si7139DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | подробности |
