SI7112DN-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SI7112DN-T1-GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
11.3A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
27nC @ 4.5V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
2610pF @ 15V |
Vgs (Макс.) |
±12V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
1.5W (Ta) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
7.5 mOhm @ 17.8A, 10V |
Рабочая Температура |
-50°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® 1212-8 |
Упаковка / чехол |
PowerPAK® 1212-8 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI7112DN-T1-GE3