SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SI7112DN-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI7112DN-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
40345 pcs
Справочная цена
USD 0.6453/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3 Подробное описание

номер части SI7112DN-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2610pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
Упаковка / чехол PowerPAK® 1212-8
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI7112DN-T1-GE3