SI6562DQ-T1-GE3 Подробное описание
| номер части |
SI6562DQ-T1-GE3 |
| Статус детали |
Obsolete |
| Тип полевого транзистора |
N and P-Channel |
| Функция FET |
Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
- |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
600mV @ 250µA (Min) |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
25nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
- |
| Мощность - макс. |
1W |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Упаковка / чехол |
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Пакет устройств поставщика |
8-TSSOP |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI6562DQ-T1-GE3
