SI6410DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SI6410DQ-T1-GE3
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	-
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	33nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.5W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 7.8A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-TSSOP
Упаковка / чехол	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI6410DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP	подробности
SI6410DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP	подробности
SI6413DQ	VIS	SI6413DQ VIS TSSOP8 New Original Stocks	подробности
SI6413DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP	подробности
SI6413DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP	подробности
SI6415DQ	VIS	SI6415DQ VIS MSOP8 New Original Stocks	подробности
SI6415DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP	подробности
SI6415DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP	подробности