| номер части | SI5485DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® ChipFet Single |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SI5480DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5480DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
 |
SI5481DU | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI5481DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5481DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5482DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5482DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5484DU | VISHAY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5484DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
