| номер части | SI5475DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 12V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.5A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ |
| Упаковка / чехол | 8-SMD, Flat Lead |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5471DC | Vishay | SI5471DC Vishay 1206-8 New Original Stocks | подробности |
|
SI5471DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 | подробности |
|
SI5473DC | VISHAY | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI5473DC-T1 | VISHAY | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI5473DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 | подробности |
|
SI5473DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 | подробности |
|
SI5475BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | подробности |
|
SI5475BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | подробности |
|
SI5475DC | VISHAY | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI5475DC-T1 | VISHAY | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | подробности |
