| номер части | SI5414DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1500pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9.9A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ |
| Упаковка / чехол | 8-SMD, Flat Lead |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5410DU | VISHAY | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI5410DU-T1-E3 | VISHAY | SI5410DU-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | подробности |
 |
SI5410DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5411EDU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5414DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 | подробности |
 |
SI5415AEDU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET | подробности |
|
SI5415EDU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET | подробности |
|
SI5418DU | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI5418DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
 |
SI5419DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | подробности |
