SI5401DC-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SI5401DC-T1-GE3
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	±8V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.3W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	1206-8 ChipFET™
Упаковка / чехол	8-SMD, Flat Lead
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI5401DC	VISHAY	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	подробности
SI5401DC-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8	подробности
SI5401DC-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8	подробности
SI5402BDC	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	подробности
SI5402BDC-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8	подробности
SI5402BDC-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8	подробности
SI5402BDC_08	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	подробности
SI5402DC	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	подробности
SI5402DC-T1	VISHAY	SI5402DC-T1 VISHAY 1206-8 New Original Stocks	подробности
SI5402DC-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8	подробности