SI4922BDY-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SI4922BDY-T1-GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
2 N-Channel (Dual) |
Функция FET |
Standard |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
8A |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
16 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.8V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
62nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
2070pF @ 15V |
Мощность - макс. |
3.1W |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Упаковка / чехол |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Пакет устройств поставщика |
8-SO |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI4922BDY-T1-GE3