SI4823DY-T1-GE3

SI4823DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SI4823DY-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI4823DY-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
6250 pcs
Справочная цена
USD 0.2552/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI4823DY-T1-GE3

SI4823DY-T1-GE3 Подробное описание

номер части SI4823DY-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 660pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SO
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI4823DY-T1-GE3