SI4464DY-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SI4464DY-T1-GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
200V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
1.7A (Ta) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
18nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
- |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
1.5W (Ta) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
240 mOhm @ 2.2A, 10V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
8-SO |
Упаковка / чехол |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI4464DY-T1-GE3