SI4056DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SI4056DY-T1-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	29.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	900pF @ 50V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 15A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SO
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI4055-C2A-GM	Silicon Labs	TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN	подробности
SI4055-C2A-GMR	Silicon Labs	TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN	подробности
SI4056DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC	подробности
SI4058DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC	подробности