SI3443DDV-T1-GE3

SI3443DDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SI3443DDV-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI3443DDV-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
7500 pcs
Справочная цена
USD 0.099/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI3443DDV-T1-GE3

SI3443DDV-T1-GE3 Подробное описание

номер части SI3443DDV-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 970pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 6-TSOP
Упаковка / чехол SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI3443DDV-T1-GE3