SI3433CDV-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SI3433CDV-T1-GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
P-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
6A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
45nC @ 8V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
1300pF @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±8V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
1.6W (Ta), 3.3W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
38 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
6-TSOP |
Упаковка / чехол |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI3433CDV-T1-GE3