| номер части | SI2337DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 80V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.2A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 500pF @ 40V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SI2331DS | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | подробности |
|
SI2331DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 | подробности |
|
SI2331DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 | подробности |
|
SI2333 | SI | SI2333 SI SOT-23 New Original Stocks | подробности |
|
SI2333-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | подробности |
|
Si2333CDS | Vishay | Si2333CDS Vishay SOT-23 New Original Stocks | подробности |
|
SI2333CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 | подробности |
|
SI2333CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23 | подробности |
|
SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 6A SOT23 | подробности |
|
SI2333DS | VISHAY | SI2333DS VISHAY SOT-23 New Original Stocks | подробности |
