SI1965DH-T1-E3 Подробное описание
| номер части |
SI1965DH-T1-E3 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
2 P-Channel (Dual) |
| Функция FET |
Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
12V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
1.3A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
390 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
4.2nC @ 8V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
120pF @ 6V |
| Мощность - макс. |
1.25W |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Упаковка / чехол |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Пакет устройств поставщика |
SC-70-6 (SOT-363) |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI1965DH-T1-E3
