SI1413EDH-T1-GE3

SI1413EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SI1413EDH-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI1413EDH-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3707 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI1413EDH-T1-GE3

SI1413EDH-T1-GE3 Подробное описание

номер части SI1413EDH-T1-GE3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SC-70-6 (SOT-363)
Упаковка / чехол 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI1413EDH-T1-GE3