SI1403BDL-T1-GE3 Подробное описание
| номер части |
SI1403BDL-T1-GE3 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
P-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
1.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
150 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
4.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Макс.) |
±12V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
- |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
625mW (Ta) |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
SC-70-6 |
| Упаковка / чехол |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI1403BDL-T1-GE3
