| номер части | SI1050X-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 8V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.34A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11.6nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 585pF @ 4V |
| Vgs (Макс.) | ±5V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | SC-89-6 |
| Упаковка / чехол | SOT-563, SOT-666 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1050X | VISHAY | N-Channel 8-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI1050X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F | подробности |
|
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 | подробности |
|
SI1050X_08 | VISHAY | N-Channel 8-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI1051X | VISHAY | P-Channel 8-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI1051X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | подробности |
|
SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | подробности |
|
SI1054X | VISHAY | N-Channel 12-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI1054X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | подробности |
|
SI1054X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | подробности |
