| номер части | SE30AFDHM3/6B |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1.4A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 3A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.5µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100µA @ 100V |
| Емкость @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Пакет устройств поставщика | DO-221AC |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SE30AFB-M3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC | подробности |
|
SE30AFB-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC | подробности |
|
SE30AFBHM3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | подробности |
|
SE30AFBHM3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC | подробности |
|
SE30AFD-M3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC | подробности |
|
SE30AFD-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC | подробности |
|
SE30AFDHM3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC | подробности |
|
SE30AFDHM3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC | подробности |
|
SE30AFG-M3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 3A DO221AC | подробности |
|
SE30AFG-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC | подробности |
