RMB2S-E3/45 - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	RMB2S-E3/45
Статус детали	Active
Тип диода	Three Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.25V @ 400mA
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 200V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-269AA, 4-BESOP
Пакет устройств поставщика	TO-269AA (MBS)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
RMB2S	VISHAY	Miniature Glass Passivated Fast Recovery Surface Mount Bridge Rectifier	подробности
RMB2S RCG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MBS	подробности
RMB2S-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE FAST .5A 200V TO-269AA	подробности
RMB2S-E3/80	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 0.5A 200V 150NS MBS	подробности
RMB2SHRCG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT TO269AA	подробности