| номер части | IRFSL11N50APBF |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 500V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1426pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 190W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-262-3 |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IRFSL11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | подробности |
|
IRFSL11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | подробности |
 |
IRFSL17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 | подробности |
|
IRFSL17N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 | подробности |
|
IRFSL23N15D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | подробности |
|
IRFSL23N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | подробности |
|
IRFSL23N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 | подробности |
|
IRFSL23N20D102P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 | подробности |
|
IRFSL3004PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | подробности |
|
IRFSL3006PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A TO262 | подробности |
