IRFBG30 Подробное описание
номер части |
IRFBG30 |
Статус детали |
Obsolete |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
1000V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
3.1A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
80nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
980pF @ 25V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
125W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
5 Ohm @ 1.9A, 10V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Through Hole |
Пакет устройств поставщика |
TO-220AB |
Упаковка / чехол |
TO-220-3 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IRFBG30