GBLA02-E3/51 - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	GBLA02-E3/51
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Avalanche
Напряжение - Реверс пика (макс.)	200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 4A
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 200V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, GBL
Пакет устройств поставщика	GBL
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GBLA005	VISHAY	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers	подробности
GBLA005 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	подробности
GBLA005-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	подробности
GBLA005-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	подробности
GBLA005HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	подробности
GBLA005_08	VISHAY	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier	подробности
GBLA01	VISHAY	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers	подробности
GBLA01 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL	подробности
GBLA01-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	подробности
GBLA01-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	подробности