GBL02-M3/51 - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	GBL02-M3/51
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 4A
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 200V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, GBL
Пакет устройств поставщика	GBL
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GBL005	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 4A GBL	подробности
GBL005 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	подробности
GBL005-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	подробности
GBL005-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	подробности
GBL005HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	подробности
GBL005_1	TSC	Single Phase 4.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	подробности
GBL01	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 4A GBL	подробности
GBL01 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL	подробности
GBL01-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	подробности
GBL01-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	подробности