| номер части | G3SBA20-E3/51 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 2.3A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1V @ 2A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 200V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, GBU |
| Пакет устройств поставщика | GBU |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
G3SBA20 | GE | GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER | подробности |
 |
G3SBA20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | подробности |
|
G3SBA20-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | подробности |
|
G3SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | подробности |
|
G3SBA20-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | подробности |
|
G3SBA20L-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | подробности |
|
G3SBA20L-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | подробности |
|
G3SBA20L-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | подробности |
|
G3SBA20L-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | подробности |
|
G3SBA60 | GE | GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER | подробности |
