| номер части | G2SBA80-M3/45 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 800V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1.5A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1V @ 750mA |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 800V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, GBL |
| Пакет устройств поставщика | GBL |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
G2SBA20 | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | подробности |
 |
G2SBA20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 200V GBL | подробности |
|
G2SBA20-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 200V GBL | подробности |
|
G2SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL | подробности |
|
G2SBA20-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1.5A 200V GBL | подробности |
|
G2SBA20_08 | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | подробности |
|
G2SBA60 | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | подробности |
|
G2SBA60-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 600V GBL | подробности |
|
G2SBA60-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 600V GBL | подробности |
|
G2SBA60-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1.5A 600V GBL | подробности |
