| номер части | ES3B-M3/57T |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 3A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 900mV @ 3A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 30ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 100V |
| Емкость @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AB, SMC |
| Пакет устройств поставщика | DO-214AB, (SMC) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
ES3B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | подробности |
 |
ES3B M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | подробности |
|
ES3B R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | подробности |
|
ES3B V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | подробности |
|
ES3B V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | подробности |
 |
ES3B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | подробности |
|
ES3B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | подробности |
|
ES3B-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | подробности |
|
ES3B-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | подробности |
|
ES3B-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | подробности |
