| номер части | EGL34FHE3_A/I |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 300V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 500mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.35V @ 500mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 50ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 300V |
| Емкость @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-213AA (Glass) |
| Пакет устройств поставщика | DO-213AA (GL34) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
EGL34A | GS | EGL34A GS LL34 New Original Stocks | подробности |
 |
EGL34A-E3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | подробности |
|
EGL34A-E3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | подробности |
|
EGL34AHE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | подробности |
|
EGL34AHE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | подробности |
|
EGL34AHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | подробности |
|
EGL34AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | подробности |
|
EGL34A_07 | SEMIKRON | Surface mount diode Ultrafast silicon rectifier diodes | подробности |
|
EGL34B | VISHAY | Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier | подробности |
|
EGL34B-E3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | подробности |
