3N251-E4/51 - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	3N251-E4/51
Статус детали	Last Time Buy
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	800V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	1.5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1V @ 1A
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 800V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, KBPM
Пакет устройств поставщика	KBPM
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
3N250	Fairchild/ON Semiconductor	RECTIFIER BRIDGE 600V 1.5A KBPM	подробности
3N250-E4/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 1.5A 600V KBPM	подробности
3N250-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 1.5A 600V KBPM	подробности
3N250-E4/72	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PH 600V 1.5A KBPM	подробности
3N250-M4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1.5A 600V KBPM	подробности
3N251	Fairchild/ON Semiconductor	RECTIFIER BRIDGE 800V 1.5A KBPM	подробности
3N251-E4/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 1.5A 800V KBPM	подробности
3N251-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 1.5A 800V KBPM	подробности
3N251-E4/72	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PH 800V 1.5A KBPM	подробности
3N251-M4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1.5A 800V KBPM	подробности