TPN2R503NC,L1Q Подробное описание
| номер части |
TPN2R503NC,L1Q |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
40A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.3V @ 500µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
40nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
2230pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) |
±20V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
700mW (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
2.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Рабочая Температура |
150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Упаковка / чехол |
8-PowerVDFN |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TPN2R503NC,L1Q
