TPHR6503PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TPHR6503PL,L1Q
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	150A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	110nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	10000pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	0.65 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	175°C
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / чехол	8-PowerVDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TPHR6503PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP	подробности