TPH1R712MD,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TPH1R712MD,L1Q
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	182nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	10900pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±12V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	78W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / чехол	8-PowerVDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TPH1R005PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 45V 150A	подробности
TPH1R204PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 150A	подробности
TPH1R403NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP	подробности
TPH1R712MD,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV	подробности