TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
TPH1R712MD,L1Q
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TPH1R712MD,L1Q Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
TPH1R712MD,L1Q.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
44466 pcs
Справочная цена
USD 0.5706/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q Подробное описание

номер части TPH1R712MD,L1Q
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 182nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 10900pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 78W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TPH1R712MD,L1Q