TPH1110ENH,L1Q

TPH1110ENH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
TPH1110ENH,L1Q
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TPH1110ENH,L1Q Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
39199 pcs
Справочная цена
USD 0.6613/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TPH1110ENH,L1Q

TPH1110ENH,L1Q Подробное описание

номер части TPH1110ENH,L1Q
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 600pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 114 mOhm @ 3.6A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TPH1110ENH,L1Q