TPCF8B01(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TPCF8B01(TE85L,F,M
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	6nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	470pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±8V
Функция FET	Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)	330mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	VS-8 (2.9x1.5)
Упаковка / чехол	8-SMD, Flat Lead
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TPCF8B01	TOSHIBA	TPCF8B01 TOSHIBA SOT238 New Original Stocks	подробности
TPCF8B01(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8	подробности
TPCF8B01TE85L.F	TOSHIBA	TPCF8B01TE85L.F TOSHIBA SOT283 New Original Stocks	подробности