TLP109(IGM,E)

TLP109(IGM,E) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
TLP109(IGM,E)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TLP109(IGM,E) Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Оптоизоляторы - транзистор, фотогальванический выход
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
23069 pcs
Справочная цена
USD 1.12/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TLP109(IGM,E)

TLP109(IGM,E) Подробное описание

номер части TLP109(IGM,E)
Статус детали Active
Количество каналов 1
Напряжение - изоляция 3750Vrms
Коэффициент передачи в реальном времени (мин.) 25% @ 10mA
Коэффициент передачи тока (макс.) 75% @ 10mA
Время включения / выключения (Тип) 450ns, 450ns
Время нарастания / падения (Тип) -
Тип ввода DC
Тип выхода Transistor
Напряжение - выход (макс.) 20V
Текущий - выход / канал 8mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) 1.64V
Current - DC Forward (If) (Max) 20mA
Vce Saturation (Макс.) -
Рабочая Температура -55°C ~ 125°C
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 5 Leads
Пакет устройств поставщика 6-SO, 5 Lead
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TLP109(IGM,E)