TK8Q65W,S1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK8Q65W,S1Q
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	7.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	16nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	570pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	80W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	670 mOhm @ 3.9A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	I-Pak
Упаковка / чехол	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK8Q60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 8A IPAK	подробности
	TK8Q65W,S1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK	подробности