TK7A65W,S5X - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK7A65W,S5X
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	490pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	30W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	780 mOhm @ 3.4A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220SIS
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK7A45DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS	подробности
TK7A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS	подробности
TK7A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS	подробности
TK7A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS	подробности
TK7A60W5,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS	подробности
TK7A65D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS	подробности
TK7A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS	подробности
TK7A90E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V TO220SIS	подробности