TK6A55DA(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK6A55DA(STA4,Q,M)
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	550V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	12nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	600pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	35W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.48 Ohm @ 2.8A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220SIS
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK6A55DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS	подробности