TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
TK62J60W,S1VQ
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TK62J60W,S1VQ Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
45 pcs
Справочная цена
USD 16.34/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ Подробное описание

номер части TK62J60W,S1VQ
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 61.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 3.1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 180nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 6500pF @ 300V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.) 400W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 30.9A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-3P(N)
Упаковка / чехол TO-3P-3, SC-65-3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TK62J60W,S1VQ