TK4P60DB(T6RSS-Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK4P60DB(T6RSS-Q)
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	11nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	540pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	80W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.9A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D-Pak
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK4P60DA(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3	подробности
	TK4P60DB(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3	подробности