TK40P03M1(T6RDS-Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK40P03M1(T6RDS-Q)
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	40A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1150pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	10.8 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура	-
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DPAK
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK40P03M1	TOSHIBA	TK40P03M1 TOSHIBA to-252 New Original Stocks	подробности
TK40P03M1(T6RDS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3	подробности
TK40P03M1(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A	подробности
TK40P04M1(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A	подробности