TK3R1A04PL,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK3R1A04PL,S4X
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	82A
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	63.4nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4670pF @ 20V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	36W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220SIS
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK3R1A04PL,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	подробности
TK3R1E04PL,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	подробности
TK3R1P04PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK	подробности